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    DMP3099L-7NTR4502PT1G、NTR4171PT1G、DMP1045U-7 的区别

    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

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    NTR4171PT1G

    制造商:ON

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    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    Vgs(Max)±20V±20V±12V±8V
    栅极电荷(Qg)5.2nC--15.8nC
    漏源电压(Vdss)30V30V30V12V
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    FET功能----
    阈值电压2.1V3V@250µA1.4V@250μA1V
    连续漏极电流3.8A1.13A2.2A4A
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    漏极电流3.8A1.13A-4A
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    反向传输电容Crss41pF50pF65pF235pF
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度1.00mm1.00mm1.10mm1.00mm
    是否无铅YesYesYesYes
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    充电电量5.2nC6nC15.6nC15.8nC
    元件生命周期ActiveActive-Active
    品牌DIODESONONDIODES
    原始制造商Diodes IncorporatedON Semiconductor Inc.ON SemiconductorDiodes Incorporated
    制造商标准提前期8 周20 周25 周8 周
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    系列----
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)65mΩ@10V,3.8A200mΩ@10V,1.95A75mΩ@10V,2.2A31mΩ@4.5V,4A
    功率耗散1.08W400mW480mW800mW
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    输入电容563pF200pF@15V720pF@15V1.357nF
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V4.5V,10V2.5V,10V-
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    栅极源极击穿电压±20V±20V±12V±8V
    额定功率1.08W400mW480mW800mW
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    配置-单路单路-
    击穿电压-30V30V-
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    印字代码-TR2 M= =--
    认证信息-RoHSRoHS-
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