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    DMN2004K-7AO3420、ZXMN2A14FTA、ZXMN2B01FTA 的区别

    DMN2004K-7

    制造商:DIODES

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    AO3420

    制造商:AOS

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    ZXMN2A14FTA

    制造商:DIODES

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    ZXMN2B01FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.18304

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    ECCN编码
    栅极电荷(Qg)0.9nC-6.6nC-
    阈值电压1V1V700mV@250µA1V@250µA
    连续漏极电流630mA6A3.4A2.4A
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    漏极电流630mA---
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    漏源电压(Vdss)20V20V20V20V
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-65℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    FET功能----
    Vgs(Max)±8V±12V±12V±8V
    功率耗散350mW1.4W1W625mW
    额定功率350mW1.4W1W625mW
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    反向传输电容Crss20pF45pF@10V--
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    高度1.10mm1.25mm0.98mm1.12mm
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    元件生命周期ActiveActive-Active
    制造商标准提前期12 周16 周10 周10 周
    原始制造商Diodes IncorporatedAlpha and Omega SemiconductorDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    原产国家AmericaAmerica-America
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)550mΩ@4.5V,540mA24mΩ@10V,6A60mΩ@3.4A,4.5V100mΩ@4.5V,2.4A
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    类型1个N沟道N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容150pF630pF544pF370pF@10V
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    系列----
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)1.8V,4.5V1.8V,10V2.5V,4.5V1.8V,4.5V
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    是否无铅YesYesYesYes
    充电电量0.9nC12.5nC--
    栅极源极击穿电压±8V±12V-±8V
    品牌DIODESAOSDIODESDIODES
    配置-单路单路-
    存储温度----55℃~+150℃
    击穿电压---20V
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