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0402WGF3000TCE 与
DMP3030SN-7、NTR4502PT1G、DMP1045U-7 的区别
制造商：Uniohm 最优价格：￥0.00144 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥2.84050 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.28600 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.28500 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 技术/工艺 | 厚膜 | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 封装/外壳 | 0402 | SC59 | SOT-23 | SOT-23 |
| 温度系数 | ±100ppm/℃ | - | - | - |
| 精度 | ±1% | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| 功率 | 62.5mW | - | - | - |
| 特性 | - | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 1.00 x 0.50mm | 3.10 x 1.70mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 最小包装 | 10000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | Active |
| 原始制造商 | Uniroyal Electronics Global Co., Ltd. | Diodes Incorporated | ON Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated |
| 原产国家 | China Taiwan | - | America | America |
| 认证信息 | SGS | - | RoHS | - |
| 应用 | Consumer | - | - | - |
| 额定电压 | 50V | - | - | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 卷盘尺寸 | Φ180mm | - | - | - |
| 等级 | 消费级 | - | - | - |
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | - | - |
| 品牌 | Uniohm | DIODES | ON | DIODES |
| 高度 | 0.35mm | 1.40mm | 1.00mm | 1.00mm |
| 存储温度 | -55℃~+155℃ | - | -55℃~+150℃ | - |
| 引脚数 | 2Pin | - | 3Pin | 3Pin |
| 阻值 | 300Ω | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | 15.8nC |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | ±8V |
| 连续漏极电流 | - | 700mA | 1.13A | 4A |
| 阈值电压 | - | 3V@1mA | 3V@250µA | 1V |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | - |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 12V |
| 制造商标准提前期 | - | 8 周 | 20 周 | 8 周 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 250mΩ@10V,400mA | 200mΩ@10V,1.95A | 31mΩ@4.5V,4A |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 功率耗散 | - | 500mW | 400mW | 800mW |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | - |
| 额定功率 | - | 500mW | 400mW | 800mW |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | ±8V |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 输入电容 | - | 160pF@10V | 200pF@15V | 1.357nF |
| 漏极电流 | - | - | 1.13A | 4A |
| 印字代码 | - | - | TR2 M= = | - |
| 击穿电压 | - | - | 30V | - |
| 反向传输电容Crss | - | - | 50pF | 235pF |
| 充电电量 | - | - | 6nC | 15.8nC |
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