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    0402WGF3000TCENTR4502PT1G、DMP1045U-7、DMP3130L-7 的区别

    0402WGF3000TCE

    制造商:Uniohm

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

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    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.37968

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    ECCN编码
    功率62.5mW---
    特性----
    长x宽/尺寸1.00 x 0.50mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    技术/工艺厚膜---
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳0402SOT-23SOT-23SOT-23
    温度系数±100ppm/℃---
    精度±1%---
    工作温度-55℃~+155℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    认证信息SGSRoHS--
    应用Consumer---
    额定电压50V---
    卷盘尺寸Φ180mm---
    系列----
    电阻类型厚膜电阻---
    等级消费级---
    品牌UniohmONDIODESDIODES
    高度0.35mm1.00mm1.00mm1.03mm
    存储温度-55℃~+155℃-55℃~+150℃--
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    最小包装10000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    是否无铅YesYesYesYes
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    原始制造商Uniroyal Electronics Global Co., Ltd.ON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
    原产国家China TaiwanAmericaAmericaAmerica
    阻值300Ω---
    配置-单路--
    阈值电压-3V@250µA1V1.3V
    连续漏极电流-1.13A4A3A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V12V30V
    漏极电流-1.13A4A3.5A
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±8V±12V
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    额定功率-400mW800mW700mW
    输入电容-200pF@15V1.357nF864pF
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V-2.5V,10V
    击穿电压-30V--
    栅极源极击穿电压-±20V±8V±12V
    反向传输电容Crss-50pF235pF62pF
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    充电电量-6nC15.8nC24nC
    功率耗散-400mW800mW700mW
    零件状态-ActiveActiveActive
    制造商标准提前期-20 周8 周8 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    印字代码-TR2 M= =--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-200mΩ@10V,1.95A31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A
    栅极电荷(Qg)--15.8nC24nC
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