尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    RC0805FR-07107RLDMP3099L-7、DMP3030SN-7、NTR4502PT1G 的区别

    RC0805FR-07107RL

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.00600

    查看详情

    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17500

    查看详情

    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

    查看详情 查看数据资料

    NTR4502PT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.28600

    查看详情
    ECCN编码
    技术/工艺厚膜---
    温度系数±100ppm/℃---
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    功率125mW---
    工作温度-55℃~+155℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃
    封装/外壳0805SOT-23SC59SOT-23
    精度±1%---
    长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm
    特性----
    卷盘尺寸Φ180mm---
    电阻类型厚膜电阻---
    系列RC---
    等级消费级---
    品牌YageoDIODESDIODESON
    额定电压150V---
    存储温度-55℃~+155℃---55℃~+150℃
    引脚数2Pin3Pin-3Pin
    最小包装5000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    高度0.50mm1.00mm1.40mm1.00mm
    是否无铅YesYesYesYes
    元件生命周期ActiveActive-Active
    原始制造商Yageo CorporationDiodes IncorporatedDiodes IncorporatedON Semiconductor Inc.
    原产国家China TaiwanAmerica-America
    认证信息HF(halogen free), RoHS--RoHS
    应用Consumer---
    阻值107Ω---
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    栅极电荷(Qg)-5.2nC--
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    FET功能----
    阈值电压-2.1V3V@1mA3V@250µA
    连续漏极电流-3.8A700mA1.13A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏极电流-3.8A-1.13A
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    反向传输电容Crss-41pF-50pF
    充电电量-5.2nC-6nC
    制造商标准提前期-8 周8 周20 周
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-65mΩ@10V,3.8A250mΩ@10V,400mA200mΩ@10V,1.95A
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    功率耗散-1.08W500mW400mW
    零件状态-ActiveActiveActive
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    输入电容-563pF160pF@10V200pF@15V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    额定功率-1.08W500mW400mW
    配置--单路单路
    印字代码---TR2 M= =
    击穿电压---30V
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照