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    RC0805FR-07107RLNTR4502PT1G、DMP1045U-7、DMP3130L-7 的区别

    RC0805FR-07107RL

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.00600

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.28600

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    DMP1045U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.28500

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    DMP3130L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.37968

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    ECCN编码
    精度±1%---
    长x宽/尺寸2.00 x 1.25mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    特性----
    技术/工艺厚膜---
    温度系数±100ppm/℃---
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    功率125mW---
    工作温度-55℃~+155℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    封装/外壳0805SOT-23SOT-23SOT-23
    原产国家China TaiwanAmericaAmericaAmerica
    认证信息HF(halogen free), RoHSRoHS--
    应用Consumer---
    卷盘尺寸Φ180mm---
    电阻类型厚膜电阻---
    系列RC---
    等级消费级---
    品牌YageoONDIODESDIODES
    额定电压150V---
    存储温度-55℃~+155℃-55℃~+150℃--
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    最小包装5000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    高度0.50mm1.00mm1.00mm1.03mm
    是否无铅YesYesYesYes
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    原始制造商Yageo CorporationON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
    阻值107Ω---
    配置-单路--
    阈值电压-3V@250µA1V1.3V
    连续漏极电流-1.13A4A3A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V12V30V
    漏极电流-1.13A4A3.5A
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±8V±12V
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    额定功率-400mW800mW700mW
    输入电容-200pF@15V1.357nF864pF
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V-2.5V,10V
    击穿电压-30V--
    栅极源极击穿电压-±20V±8V±12V
    反向传输电容Crss-50pF235pF62pF
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    充电电量-6nC15.8nC24nC
    功率耗散-400mW800mW700mW
    零件状态-ActiveActiveActive
    制造商标准提前期-20 周8 周8 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    印字代码-TR2 M= =--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-200mΩ@10V,1.95A31mΩ@4.5V,4A77mΩ@10V,4.2A
    栅极电荷(Qg)--15.8nC24nC
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