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    SI3456DDV-T1-GE3ZXMN3A03E6TA、NTGS4141NT1G、AO6404 的区别

    SI3456DDV-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.78546

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    NTGS4141NT1G

    制造商:ON

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    AO6404

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.70070

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    ECCN编码
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    漏源电压(Vdss)30V30V30V20V
    封装/外壳TSOP-6SOT26TSOP-6SC74,SOT457
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    漏极电流6.3A-3.5A-
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    FET功能----
    Vgs(Max)±20V±20V±20V±12V
    配置单路-单路-
    阈值电压3V@250µA1V3V@250µA1V@250µA
    连续漏极电流6.3A4.6A7A8.6A
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.Diodes IncorporatedON Semiconductor-
    系列TrenchFET®---
    原产国家AmericaAmericaAmerica-
    制造商标准提前期15 周10 周30 周16 周
    长x宽/尺寸3.05 x 1.65mm3.00 x 1.60mm3.00 x 1.50mm-
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    高度1.00mm1.15mm1.00mm-
    是否无铅YesNoYesYes
    引脚数6Pin6Pin6Pin-
    元件生命周期ActiveActive--
    品牌VishayDIODESON-
    脚间距1mm---
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,5A50mΩ@10V,7.8A25mΩ@7A,10V17mΩ@10V,8.5A
    额定功率2.7W1.1W500mW2W
    输入电容325pF600pF560pF@24V1.81nF@10V
    击穿电压30V30V30V-
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    栅极源极击穿电压±20V±20V±20V-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V1.8V,10V
    反向传输电容Crss30pF-15pF-
    充电电量6nC12.6nC6nC-
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    功率耗散1.7W1.1W500mW2W
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs-
    认证信息--RoHS-
    印字代码--S4 M= =-
    栅极电荷(Qg)---17.9nC
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