尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    SI3456DDV-T1-GE3VB7322、ZXMN3A03E6TA、NTGS4141NT1G 的区别

    SI3456DDV-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.78546

    查看详情

    VB7322

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

    查看详情 查看数据资料

    NTGS4141NT1G

    制造商:ON

    最优价格:

    查看详情
    ECCN编码
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)30V30V30V30V
    封装/外壳TSOP-6TSOP-6SOT26TSOP-6
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    漏极电流6.3A6A-3.5A
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    FET功能----
    Vgs(Max)±20V±20V±20V±20V
    配置单路单路-单路
    阈值电压3V@250µA1.5V@250µA1V3V@250µA
    连续漏极电流6.3A5.5A4.6A7A
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    功率耗散1.7W1.3W1.1W500mW
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)-
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.VBsemi Electronics Co. LtdDiodes IncorporatedON Semiconductor
    系列TrenchFET®---
    原产国家AmericaChina TaiwanAmericaAmerica
    制造商标准提前期15 周-10 周30 周
    长x宽/尺寸3.05 x 1.65mm3.05 x 1.65mm3.00 x 1.60mm3.00 x 1.50mm
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
    高度1.00mm1.10mm1.15mm1.00mm
    是否无铅YesYesNoYes
    引脚数6Pin6Pin6Pin6Pin
    元件生命周期ActiveActiveActive-
    品牌VishayVBsemiDIODESON
    脚间距1mm---
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,5A27mΩ50mΩ@10V,7.8A25mΩ@7A,10V
    额定功率2.7W-1.1W500mW
    输入电容325pF424pF600pF560pF@24V
    击穿电压30V30V30V30V
    类型1个N沟道-1个N沟道1个N沟道
    栅极源极击穿电压±20V±20V±20V±20V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V-4.5V,10V4.5V,10V
    反向传输电容Crss30pF42pF-15pF
    充电电量6nC4.2nC12.6nC6nC
    栅极电荷(Qg)-13nC--
    认证信息---RoHS
    印字代码---S4 M= =
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车询价

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照