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SI3456DDV-T1-GE3 与
AO6408、VB7322、ZXMN3A03E6TA 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥0.78546 查看详情 | 制造商：AOS 最优价格：￥ 查看详情 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.77970 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥8.84450 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | Tape/reel |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 20V | 30V | 30V |
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SC74,SOT457 | TSOP-6 | SOT26 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 漏极电流 | 6.3A | - | 6A | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 配置 | 单路 | - | 单路 | - |
| 阈值电压 | 3V@250µA | 1V@250µA | 1.5V@250µA | 1V |
| 连续漏极电流 | 6.3A | 8.8A | 5.5A | 4.6A |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最小包装 | 3000pcs | - | 3000pcs | 3000pcs |
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | - | VBsemi Electronics Co. Ltd | Diodes Incorporated |
| 系列 | TrenchFET® | - | - | - |
| 原产国家 | America | - | China Taiwan | America |
| 制造商标准提前期 | 15 周 | - | - | 10 周 |
| 长x宽/尺寸 | 3.05 x 1.65mm | - | 3.05 x 1.65mm | 3.00 x 1.60mm |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 高度 | 1.00mm | - | 1.10mm | 1.15mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | No |
| 引脚数 | 6Pin | - | 6Pin | 6Pin |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | Active |
| 品牌 | Vishay | - | VBsemi | DIODES |
| 脚间距 | 1mm | - | - | - |
| 极性 | N-沟道 | - | N-沟道 | N-沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,5A | 18毫欧@8.8A，10V | 27mΩ | 50mΩ@10V,7.8A |
| 额定功率 | 2.7W | - | - | 1.1W |
| 输入电容 | 325pF | 2.2nF@10V | 424pF | 600pF |
| 击穿电压 | 30V | - | 30V | 30V |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | 1个N沟道 |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | - | - | 4.5V，10V |
| 反向传输电容Crss | 30pF | - | 42pF | - |
| 充电电量 | 6nC | - | 4.2nC | 12.6nC |
| 零件状态 | Active | 过期 | Active | Active |
| 功率耗散 | 1.7W | 2W | 1.3W | 1.1W |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 13nC | - |
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