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    SI2302CDS-T1-GE3AF0402FR-0712KL、RC0402FR-0712KL、0402WGF1202TCE 的区别

    SI2302CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.23576

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    AF0402FR-0712KL

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.01085

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    RC0402FR-0712KL

    制造商:Yageo

    最优价格:¥0.00186

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    0402WGF1202TCE

    制造商:Uniohm

    最优价格:¥0.00147

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    ECCN编码
    阈值电压850mV@250µA---
    栅极电荷(Qg)5.5nC---
    Vgs(Max)±8V---
    FET功能----
    漏源电压(Vdss)20V---
    漏极电流2.6A---
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23040204020402
    晶体管类型N沟道---
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    配置单路---
    连续漏极电流2.6A---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,4.5V---
    栅极源极击穿电压±8V---
    充电电量3.5nC---
    功率耗散710mW---
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃-55℃~+155℃
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm
    输入电容----
    高度1.00mm0.35mm0.35mm0.35mm
    最小包装3000pcs10000pcs10000pcs10000pcs
    是否无铅YesYesYesYes
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.Yageo CorporationYageo CorporationUniroyal Electronics Global Co., Ltd.
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    原产国家AmericaChina TaiwanChina TaiwanChina Taiwan
    制造商标准提前期19 周---
    类型1个N沟道---
    引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
    系列TrenchFET®AFRC_L-
    额定功率710mW---
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)57mΩ@4.5V,3.6A---
    脚间距1.9mm-0.75mm-
    零件状态Active---
    品牌VishayYageoYageoUniohm
    极性N-沟道---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    击穿电压20V---
    技术/工艺-厚膜厚膜厚膜
    精度-±1%±1%±1%
    功率-62.5mW62.5mW62.5mW
    温度系数-±100ppm/℃±100ppm/℃±100ppm/℃
    特性----
    电阻类型-厚膜电阻厚膜电阻厚膜电阻
    额定电压-50V50V50V
    认证信息-RoHS, HF(halogen free), AEC-Q200HF(halogen free), RoHSSGS
    应用-Automotive Electronics, Consumer, IndustrialConsumerConsumer
    等级-AEC-Q200消费级消费级
    阻值-12KΩ12KΩ12KΩ
    卷盘尺寸--Φ180mmΦ180mm
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