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GBJ2506-F 与
SMMBT3906LT1G、MMBT3906Q-7-F、MMBT3906T-7-F 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 正向压降VF | 1.05V | - | - | - |
| 反向漏电流IR | 10μA@600V | - | - | - |
| 封装/外壳 | DB-4P_30X4.6MM_TM | SOT-23 | SOT-23 | SOT-523-3 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 工作温度 | -65℃~+150℃(TJ) | -65℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
| 安装类型 | 插件 | SMT | SMT | SMT |
| 反向耐压VR | 420V | - | - | - |
| 包装 | Tube packing | Tape/reel | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 二极管类型 | 单相 | - | - | - |
| 技术 | 标准 | - | - | - |
| 反向峰值电压（最大值） | 600V | - | - | - |
| 平均整流电流 | 25A | - | - | - |
| 高度 | 20.00mm | 1.11mm | 0.98mm | 0.80mm |
| 长x宽/尺寸 | 30.00 x 4.60mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 1.60 x 0.80mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | Yes |
| 原始制造商 | Diodes Incorporated | ON Semiconductor Inc. | - | - |
| 原产国家 | America | America | - | - |
| 元件生命周期 | Active | Active | - | - |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 12 周 | - | - |
| 脚间距 | 7.5mm | - | - | - |
| 系列 | GBJ25005-GBJ2510 | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 最小包装 | 15pcs | 3000pcs | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | - | Active |
| 引脚数 | 4Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 存储温度 | -65~+150℃ | -65℃~+150℃ | - | - |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 350A | - | - | - |
| 正向压降VF Max | 1.05V | - | - | - |
| 品牌 | DIODES | ON | - | DIODES |
| DC电流增益(hFE) | - | 300 | 100@10mA,1V | 100~300 |
| 晶体管类型 | - | PNP | PNP | PNP |
| 配置 | - | 单路 | - | - |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | 40V | 40V | 40V |
| Vce饱和压降 | - | 400mV | - | 400mV |
| 跃迁频率 | - | 250MHz | - | 250MHz |
| 功率耗散 | - | 300mW | - | 150mW |
| 特征频率(fT) | - | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | 5V | - | 5V |
| 额定功率 | - | 300mW | 310mW | 150mW |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | - | 40V | 400mV@50mA,5mA | 40V |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | 40V | - | 40V |
| 集电极电流 Ic | - | 200mA | 200mA | 200mA |
| 极性 | - | PNP | - | - |
| 印字代码 | - | 2A | - | - |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | - | - | - |
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