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    MMBT5551LT1GMMBT5551-TP、SMMBT5551LT1G、MMBT5551_R1_00001 的区别

    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.05600

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07410

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    SMMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30522

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.14634

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    ECCN编码
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel-
    Vce饱和压降200mV500mV200mV200mV
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    配置单路-单路-
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    跃迁频率-100MHz-100MHz
    DC电流增益(hFE)2501008080@10mA,5V
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    功率耗散225mW300mW225mW250mW
    发射极与基极之间电压 VEBO6V-6V-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))160V160V160V160V
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)-
    集电极-基极电压(VCBO)180V-180V-
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
    是否无铅YesYesYesYes
    品牌ONMCCONPANJIT
    元件生命周期ActiveActive-Active
    极性NPNNPNNPN-
    制造商标准提前期12 周8 周12 周-
    印字代码G1-G1-
    原产国家AmericaAmericaAmericaChina Taiwan
    系列-OriginalMMBT5551L-
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Micro Commercial ComponentsON Semiconductor-
    高度1.11mm1.00mm1.11mm1.10mm
    集电极截止电流 (Icbo)100nA50nA(ICBO)100nA-
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs-
    额定功率225mW300mW225mW250mW
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    脚间距1.9mm---
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃-55℃~+150℃
    特征频率(fT)-100MHz-100MHz
    认证信息--AEC-Q101,-
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