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MMBT5551LT1G 与
SMMBT5551LT1G、MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F 的区别
制造商：ON 最优价格：￥0.07952 查看详情 | 制造商：ON 最优价格：￥0.29967 查看详情 查看数据资料 | 制造商：PANJIT 最优价格：￥0.10081 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.08800 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 跃迁频率 | - | - | 100MHz | 100MHz |
| DC电流增益(hFE) | 250 | 80 | 80@10mA,5V | 50 |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 160V | 160V | 160V | 160V |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | - | Tape/reel |
| Vce饱和压降 | 200mV | 200mV | 200mV | 200mV |
| 晶体管类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 配置 | 单路 | 单路 | - | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 制造商标准提前期 | 12 周 | 12 周 | - | 12 周 |
| 印字代码 | G1 | G1 | - | - |
| 原产国家 | America | America | China Taiwan | - |
| 系列 | - | MMBT5551L | - | Original |
| 原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | ON Semiconductor | - | - |
| 高度 | 1.11mm | 1.11mm | 1.10mm | 1.10mm |
| 集电极截止电流 (Icbo) | 100nA | 100nA | - | 500nA（ICBO） |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | - | 3000pcs |
| 额定功率 | 225mW | 225mW | 250mW | 300mW |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.30mm |
| 脚间距 | 1.9mm | - | - | - |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - |
| 功率耗散 | 225mW | 225mW | 250mW | 300mW |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | 6V | 6V | - | - |
| 集电极-发射极电压 VCEO | 160V | 160V | 160V | 160V |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 集电极-基极电压（VCBO） | 180V | 180V | - | - |
| 集电极电流 Ic | 600mA | 600mA | 600mA | 600mA |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 品牌 | ON | ON | PANJIT | DIODES |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | - |
| 极性 | NPN | NPN | - | Bidirectional |
| 认证信息 | - | AEC-Q101, | - | - |
| 特征频率(fT) | - | - | 100MHz | 300MHz |
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