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MMBT5551LT1GMMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、SMMBT5551LT1G 的区别

MMBT5551LT1G

制造商:ON

最优价格:¥0.07952

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MMBT5551LT3G

制造商:ON

最优价格:¥0.12430

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MMBT5551-TP

制造商:MCC

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SMMBT5551LT1G

制造商:ON

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ECCN编码
工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
配置单路单路-单路
封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
跃迁频率--100MHz-
DC电流增益(hFE)25080~25010080
集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
安装类型SMTSMTSMTSMT
包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
Vce饱和压降200mV200mV500mV200mV
晶体管类型NPNNPNNPNNPN
集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
是否无铅YesYesYesYes
品牌ONONMCCON
元件生命周期Active-Active-
极性NPNNPNNPNNPN
制造商标准提前期12 周12 周8 周12 周
印字代码G1G1-G1
原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
系列--OriginalMMBT5551L
原始制造商ON Semiconductor Inc.ON SemiconductorMicro Commercial ComponentsON Semiconductor
高度1.11mm1.11mm1.00mm1.11mm
集电极截止电流 (Icbo)100nA100nA50nA(ICBO)100nA
最小包装3000pcs10000pcs3000pcs3000pcs
额定功率225mW225mW300mW225mW
零件状态ActiveActiveActiveActive
引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
脚间距1.9mm---
存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--55℃~+150℃
功率耗散225mW225mW300mW225mW
发射极与基极之间电压 VEBO6V6V-6V
集电极-发射极电压 VCEO160V160V160V160V
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
集电极-基极电压(VCBO)180V180V-180V
特征频率(fT)--100MHz-
认证信息---AEC-Q101,
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