尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    NTR4502PT1GCL32A106KLULNNE、CC1210KKX5RGBB106、C1210C106K6PACTU 的区别

    NTR4502PT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.28600

    查看详情

    CL32A106KLULNNE

    制造商:Samsung

    最优价格:¥0.55785

    查看详情 查看数据资料

    CC1210KKX5RGBB106

    制造商:Yageo

    最优价格:¥1.95274

    查看详情 查看数据资料

    C1210C106K6PACTU

    制造商:KEMET

    最优价格:¥1.87288

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+85℃-55℃~+85℃-
    FET功能----
    Vgs(Max)±20V---
    配置单路---
    阈值电压3V@250µA---
    连续漏极电流1.13A---
    晶体管类型P沟道---
    包装Tape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/Reel-
    漏源电压(Vdss)30V---
    封装/外壳SOT-23121012101210
    漏极电流1.13A---
    安装类型SMTSMTSMT-
    原始制造商ON Semiconductor Inc.-Yageo Corporation-
    认证信息RoHS-RoHS,HF(Halogen Free)-
    原产国家America-China Taiwan-
    元件生命周期Active-Active-
    品牌ON-Yageo-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@10V,1.95A---
    输入电容200pF@15V---
    极性P-沟道---
    额定功率400mW---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V---
    类型1个P沟道---
    击穿电压30V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    反向传输电容Crss50pF---
    充电电量6nC---
    零件状态Active-Active-
    功率耗散400mW---
    存储温度-55℃~+150℃---
    系列--CC-
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm3.20 x 2.50mm3.20 x 2.50mm-
    制造商标准提前期20 周---
    高度1.00mm2.50mm2.70mm-
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)--
    引脚数3Pin2Pin2Pin-
    最小包装3000pcs---
    是否无铅Yes-Yes-
    印字代码TR2 M= =---
    精度-±10%±10%±10%
    额定电压-35V35V35V
    等级-通用级--
    脚间距-2.60mm--
    容值-10µF10µF10μF
    电介质-X5RX5RX5R
    温度系数Tf-X5RX5R-
    应用领域--General Purpose-
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照