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    NTR4502PT1GC1210C106K6PACTU、1210X106K350CT、GDK325BJ106KM-T 的区别

    NTR4502PT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.28600

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    C1210C106K6PACTU

    制造商:KEMET

    最优价格:¥1.87288

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    1210X106K350CT

    制造商:Walsin

    最优价格:¥0.76722

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    GDK325BJ106KM-T

    制造商:Taiyo Yuden

    最优价格:¥0.63441

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    ECCN编码
    漏源电压(Vdss)30V---
    封装/外壳SOT-23121012101210
    漏极电流1.13A---
    安装类型SMT-SMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃---55℃~+85℃
    FET功能----
    Vgs(Max)±20V---
    配置单路---
    阈值电压3V@250µA---
    连续漏极电流1.13A---
    晶体管类型P沟道---
    包装Tape/reel-Tape/ReelTape/Reel
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)---
    引脚数3Pin-2Pin2Pin
    最小包装3000pcs-1000pcs1000pcs
    是否无铅Yes-YesYes
    印字代码TR2 M= =---
    原始制造商ON Semiconductor Inc.-Walsin Technology CorporationTaiyo Yuden Co., Ltd.
    认证信息RoHS---
    原产国家America-China TaiwanJapan
    元件生命周期Active-Active-
    品牌ON-WalsinTaiyo Yuden
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@10V,1.95A---
    输入电容200pF@15V---
    极性P-沟道---
    额定功率400mW---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V---
    类型1个P沟道---
    击穿电压30V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    反向传输电容Crss50pF---
    充电电量6nC---
    零件状态Active-Active-
    功率耗散400mW---
    存储温度-55℃~+150℃---
    系列----
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm-3.20 x 2.50mm3.25 x 2.50mm
    制造商标准提前期20 周---
    高度1.00mm-2.50mm1.90mm
    精度-±10%±10%±10%
    额定电压-35V35V35V
    容值-10μF10µF10µF
    电介质-X5RX5RX5R
    温度系数Tf--X5RX5R
    等级----
    特性---Original
    介质材料---陶瓷
    成分---Ceramic
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