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    HMC370LP4EAO4411、AO4449、DMP3098LSS-13 的区别

    HMC370LP4E

    制造商:

    最优价格:¥241.40366

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    AO4411

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.79420

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    AO4449

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.90340

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    DMP3098LSS-13

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.53000

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    ECCN编码
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    电源电压4.5V~5.5V---
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    封装/外壳QFN24_4X4MM_EPSOIC-8SO-8_4.9X3.9MMSOIC8_150MIL_EP
    功能频率系数---
    频率14.4GHz~16.4GHz---
    RF类型通用---
    辅助属性有源倍频器---
    最小包装500pcs3000pcs3000pcs2500pcs
    供应商器件封装24-SMT(4x4)---
    制造商标准提前期7 周16 周16 周16 周
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    引脚数24Pin8Pin8Pin8Pin
    高度1.00mm1.75mm1.50mm1.75mm
    品牌ADIAOSAOSDIODES
    工作电流55mA---
    工作频率14.4~16.4GHz---
    存储温度-65~+150℃-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    原产国家AmericaAmerica-America
    长x宽/尺寸4.00 x 4.00mm4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm4.95 x 3.90mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    原始制造商Analog Devices, Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.-Diodes Incorporated
    元件生命周期ActiveActive-Active
    是否无铅YesYesNoYes
    FET功能----
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    连续漏极电流-8A7A5.3A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    阈值电压-2.4V@250µA2.4V-2.1V
    输入电容-760pF@15V910pF336pF
    击穿电压-30V--30V
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-32mΩ@10V,8A34mΩ@7A,10V65mΩ@10V,5.3A
    系列----
    额定功率-3.1W3.1W2.5W
    功率耗散-3.1W3.1W2.5W
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    配置--单路单路
    充电电量--16nC4nC
    栅极电荷(Qg)---4.0nC
    漏极电流---5.3A
    反向传输电容Crss---49pF
    无卤---Yes
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