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    HMC370LP4EAO4449、DMP3098LSS-13、ZXMP3A16N8TA 的区别

    HMC370LP4E

    制造商:

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    AO4449

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.90340

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    DMP3098LSS-13

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.53000

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    ZXMP3A16N8TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥3.33108

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    ECCN编码
    功能频率系数---
    频率14.4GHz~16.4GHz---
    RF类型通用---
    辅助属性有源倍频器---
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    电源电压4.5V~5.5V---
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    封装/外壳QFN24_4X4MM_EPSO-8_4.9X3.9MMSOIC8_150MIL_EPSOT96-1
    长x宽/尺寸4.00 x 4.00mm4.90 x 3.90mm4.95 x 3.90mm-
    原产国家America-America-
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    原始制造商Analog Devices, Inc.-Diodes Incorporated-
    元件生命周期Active-Active-
    是否无铅YesNoYesYes
    供应商器件封装24-SMT(4x4)---
    最小包装500pcs3000pcs2500pcs-
    制造商标准提前期7 周16 周16 周12 周
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    引脚数24Pin8Pin8Pin-
    高度1.00mm1.50mm1.75mm-
    品牌ADIAOSDIODES-
    工作电流55mA---
    工作频率14.4~16.4GHz---
    存储温度-65~+150℃--55℃~+150℃-
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    配置-单路单路-
    阈值电压-2.4V-2.1V1V@250µA
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    连续漏极电流-7A5.3A5.6A
    功率耗散-3.1W2.5W1.9W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    栅极源极击穿电压-±20V±20V-
    充电电量-16nC4nC-
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    输入电容-910pF336pF1.022nF
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-34mΩ@7A,10V65mΩ@10V,5.3A40mΩ
    额定功率-3.1W2.5W1.9W
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    系列----
    漏极电流--5.3A-
    栅极电荷(Qg)--4.0nC29.6nC
    无卤--Yes-
    击穿电压---30V-
    反向传输电容Crss--49pF-
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