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    HMC370LP4EZXMP3A16N8TA、AO4411、AO4449 的区别

    HMC370LP4E

    制造商:

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    ZXMP3A16N8TA

    制造商:DIODES

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    AO4411

    制造商:AOS

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    AO4449

    制造商:AOS

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    ECCN编码
    封装/外壳QFN24_4X4MM_EPSOT96-1SOIC-8SO-8_4.9X3.9MM
    功能频率系数---
    频率14.4GHz~16.4GHz---
    RF类型通用---
    辅助属性有源倍频器---
    包装Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    电源电压4.5V~5.5V---
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    存储温度-65~+150℃--55℃~+150℃-
    原产国家America-America-
    长x宽/尺寸4.00 x 4.00mm-4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    原始制造商Analog Devices, Inc.-Alpha & Omega Semiconductor Inc.-
    元件生命周期Active-Active-
    是否无铅YesYesYesNo
    最小包装500pcs-3000pcs3000pcs
    供应商器件封装24-SMT(4x4)---
    制造商标准提前期7 周12 周16 周16 周
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    引脚数24Pin-8Pin8Pin
    高度1.00mm-1.75mm1.50mm
    品牌ADI-AOSAOS
    工作电流55mA---
    工作频率14.4~16.4GHz---
    栅极电荷(Qg)-29.6nC--
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    连续漏极电流-5.6A8A7A
    阈值电压-1V@250µA2.4V@250µA2.4V
    FET功能----
    功率耗散-1.9W3.1W3.1W
    系列----
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    额定功率-1.9W3.1W3.1W
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-40mΩ32mΩ@10V,8A34mΩ@7A,10V
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    输入电容-1.022nF760pF@15V910pF
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    击穿电压--30V-
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    配置---单路
    充电电量---16nC
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