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ECCN编码 | ||||
FET功能 | - | - | - | - |
阈值电压 | 2.5V@250µA | 3V@1mA | 3V@250µA | 1V |
连续漏极电流 | 3.9A | 700mA | 1.13A | 4A |
晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 12V |
封装/外壳 | SOT-23 | SC59 | SOT-23 | SOT-23 |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
漏极电流 | 5A | - | 1.13A | 4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
配置 | 单路 | 单路 | 单路 | - |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42毫欧@3.8A,10V | - | 200毫欧@1.95A,10V | 31毫欧@4A,4.5V |
击穿电压 | 30V | - | 30V | - |
栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ±20V | ±8V |
输入电容 | 705pF@15V | 160pF@10V | 200pF@15V | 1.357nF |
反向传输电容Crss | 73pF | - | 50pF | 235pF |
充电电量 | 22nC | - | 6nC | 15.8nC |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | 4.5V,10V | 4.5V,10V | - |
功率耗散 | 1.2W | 500mW | 400mW | 800mW |
存储温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | - |
技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
长x宽/尺寸 | 2.92 x 1.30mm | 3.10 x 1.70mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
高度 | 1.12mm | 1.40mm | 1.00mm | 1.00mm |
零件状态 | Active | Active | Active | Active |
最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | Diodes Incorporated | ON Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated |
系列 | TrenchFET® | - | - | - |
原产国家 | America | - | America | America |
引脚数 | 3Pin | - | 3Pin | 3Pin |
品牌 | Vishay | DIODES | ON | DIODES |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
元件生命周期 | Active | - | Active | Active |
极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
制造商标准提前期 | 19 周 | 8 周 | 20 周 | 8 周 |
类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 42mΩ@10V,3.8A | 250mΩ@10V,400mA | 200mΩ@10V,1.95A | 31mΩ@4.5V,4A |
额定功率 | 1.7W | 500mW | 400mW | 800mW |
栅极电荷(Qg) | - | - | - | 15.8nC |
印字代码 | - | - | TR2 M= = | - |
认证信息 | - | - | RoHS | - |
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