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    BC847BLT1GBC847B-7-F、BC847B、NSVBC847BLT3G 的区别

    BC847BLT1G

    制造商:ON

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    BC847B-7-F

    制造商:DIODES

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    BC847B

    制造商:DIOTEC

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    NSVBC847BLT3G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    Vce饱和压降600mV600mV-600mV
    配置单路单路--
    集射极击穿电压Vce(Max)45V45V-45V
    安装类型SMTSMT-SMT
    晶体管类型NPNNPN-NPN
    包装Tape/reelTape/reel-带卷(TR) 
    DC电流增益(hFE)200~450200-200
    跃迁频率100MHz300MHz-100MHz
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT23-3SOT346
    工作温度-55℃~+150℃-65℃~+150℃--55℃~+150℃
    极性NPNNPN--
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    品牌ONDIODES--
    印字代码1F---
    原产国家America---
    原始制造商ON SemiconductorDiodes Incorporated--
    制造商标准提前期12 周--12 周
    最小包装3000pcs3000pcs--
    集电极截止电流 (Icbo)15nA(ICBO)15nA-15nA(ICBO)
    高度1.00mm1.10mm-0.94mm
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm-2.90 x 1.30mm
    系列-Original--
    存储温度-55℃~+150℃---
    功率耗散300mW310mW-225mW
    零件状态ActiveActive-Active
    发射极与基极之间电压 VEBO6V6V--
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))45V45V--
    额定功率300mW300mW--
    引脚数3Pin3Pin-3Pin
    特征频率(fT)100MHz300MHz--
    集电极-基极电压(VCBO)50V50V--
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO45V45V--
    是否无铅YesYes-Yes
    集电极电流 Ic100mA100mA-100mA
    发射极基极导通电压VBE(on)660mV---
    元件生命周期-Active--
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