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    BC847BLT1GSBC847BLT1G、BC847B-7-F、BC847B 的区别

    BC847BLT1G

    制造商:ON

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    SBC847BLT1G

    制造商:ON

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    BC847B-7-F

    制造商:DIODES

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    BC847B

    制造商:DIOTEC

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    ECCN编码
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃-
    Vce饱和压降600mV600mV600mV-
    配置单路单路单路-
    集射极击穿电压Vce(Max)45V45V45V-
    安装类型SMTSMTSMT-
    晶体管类型NPNNPNNPN-
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel-
    DC电流增益(hFE)200~450290200-
    跃迁频率100MHz100MHz300MHz-
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT23-3
    额定功率300mW300mW300mW-
    引脚数3Pin3Pin3Pin-
    特征频率(fT)100MHz100MHz300MHz-
    集电极-基极电压(VCBO)50V50V50V-
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO45V-45V-
    是否无铅YesYesYes-
    集电极电流 Ic100mA100mA100mA-
    发射极基极导通电压VBE(on)660mV---
    极性NPNNPNNPN-
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)-
    品牌ONONDIODES-
    印字代码1F1F--
    原产国家AmericaAmerica--
    原始制造商ON SemiconductorON SemiconductorDiodes Incorporated-
    制造商标准提前期12 周12 周--
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs-
    集电极截止电流 (Icbo)15nA(ICBO)15nA(ICBO)15nA-
    高度1.00mm1.00mm1.10mm-
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm-
    系列--Original-
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--
    功率耗散300mW300mW310mW-
    零件状态ActiveActiveActive-
    发射极与基极之间电压 VEBO6V6V6V-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))45V45V45V-
    元件生命周期--Active-
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