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    GRM188R61E106MA73DBC857C-7-F、BC857CLT3G、BC857CLT1G 的区别

    GRM188R61E106MA73D

    制造商:Murata

    最优价格:¥0.06710

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    BC857C-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17804

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    BC857CLT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10308

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

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    ECCN编码
    特性----
    等级通用级---
    封装/外壳0603SOT23-3SOT23-3SOT-23
    介质材料陶瓷---
    容值10µF---
    精度±20%---
    额定电压25V---
    长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    包装Tape/Reel--Tape/reel
    脚间距1.25mm---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    应用领域General Purpose---
    工作温度-55℃~+85℃---55℃~+150℃
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)--1(无限)
    温度系数TfX5R---
    系列GRM---
    品牌MuRata--ON
    原始制造商Murata Manufacturing Co., Ltd.--ON Semiconductor
    电介质X5R---
    认证信息RoHS---
    原产国家Japan--America
    高度0.80mm--1.00mm
    引脚数2Pin--3Pin
    零件状态Active--Active
    是否无铅Yes--Yes
    集射极击穿电压Vce(Max)---45V
    晶体管类型---PNP
    DC电流增益(hFE)---420~800
    跃迁频率---100MHz
    Vce饱和压降---650mV
    配置---单路
    极性---PNP
    特征频率(fT)---100MHz
    额定功率---300mW
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO---45V
    印字代码---3G
    最小包装---3000pcs
    制造商标准提前期---8 周
    存储温度----55℃~+150℃
    功率耗散---300mW
    集电极截止电流 (Icbo)---15nA(ICBO)
    发射极与基极之间电压 VEBO---5V
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))---45V
    集电极-基极电压(VCBO)---50V
    集电极电流 Ic---100mA
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