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    SIT8008BI-22-33E-19.440000DMMDL914T1G、1N4148WS-HE3-08、1N4148WS-E3-18 的区别

    SIT8008BI-22-33E-19.440000D

    制造商:SiTime

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    MMDL914T1G

    制造商:ON

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    1N4148WS-HE3-08

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.34134

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    1N4148WS-E3-18

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.13720

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    ECCN编码
    封装/外壳SMD3225_4PSOD-323SOD-323SOD-323
    引脚数4Pin2Pin2Pin2Pin
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    供电电压3.3V---
    主频频率19.44MHz---
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃+150℃-55℃~+150℃
    类型MEMS (Silicon)---
    长x宽/尺寸3.20 x 2.50mm1.80 x 1.35mm1.95 x 1.50mm1.95 x 1.50mm
    频率误差±25ppm---
    禁用电流电源4.2mA---
    存储温度-65℃~+150℃-55℃~+150℃--65~+150℃
    启动时间5ms---
    是否无铅YesYesYesYes
    等级Industrial---
    元件生命周期Active-Active-
    原始制造商SiTime CorporationON Semiconductor Inc.Vishay Intertechnology, Inc.Vishay Intertechnology, Inc.
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    产品状态Active---
    认证信息RoHS-RoHSRoHS
    控脚功能Output Enable---
    输出模式LVCMOS / HCMOS---
    频率稳定性±25ppm---
    工作电流3.8mA---
    系列SiT8008---
    占空比45~55%---
    高度0.75mm1.00mm1.15mm1.15mm
    输出波形Square Wave---
    二极管配置-独立式单路单路
    包装-Tape/ReelTape/ReelTape/Reel
    速度-小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
    反向耐压VR-100V75V100V
    反向漏电流IR-5µA100µA100µA
    反向恢复时间(trr)-4ns4ns4ns
    二极管类型-标准标准标准
    功率耗散(最大值)-200mW--
    工作温度-结--55°C~150°C-55°C~150°C-55°C~150°C
    平均整流电流-200mA150mA150mA
    正向压降VF-1V1.2V1.2V
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    品牌-OnsemiVishayVishay
    最小包装-3000pcs3000pcs10000pcs
    零件状态-ActiveActiveActive
    正向压降VF Max-1V1.2V1V
    正向电流-200mA--
    脚间距-2.42mm--
    总电容C-4pF4pF4pF
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-36A-350mA
    应用-通用汽车汽车
    制造商标准提前期-11 周16 周16 周
    反向峰值电压(最大值)---100V
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