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SIT8008BI-22-33E-19.440000D 与
1N4148WS-E3-18、1N4148WS-7-F、1N4148WSQ-7-F 的区别
制造商：SiTime 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.13720 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.05600 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.10266 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SMD3225_4P | SOD-323 | SOD-323 | SOD-323 |
| 引脚数 | 4Pin | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 供电电压 | 3.3V | - | - | - |
| 主频频率 | 19.44MHz | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -65℃~+150℃ |
| 类型 | MEMS (Silicon) | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 3.20 x 2.50mm | 1.95 x 1.50mm | 1.70 x 1.30mm | 1.70 x 1.30mm |
| 频率误差 | ±25ppm | - | - | - |
| 占空比 | 45~55% | - | - | - |
| 高度 | 0.75mm | 1.15mm | 1.10mm | 1.05mm |
| 输出波形 | Square Wave | - | - | - |
| 禁用电流电源 | 4.2mA | - | - | - |
| 存储温度 | -65℃~+150℃ | -65~+150℃ | -65~+150℃ | -65~+150℃ |
| 启动时间 | 5ms | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 等级 | Industrial | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | Active |
| 原始制造商 | SiTime Corporation | Vishay Intertechnology, Inc. | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 原产国家 | America | America | America | America |
| 产品状态 | Active | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS | RoHS | RoHS | - |
| 控脚功能 | Output Enable | - | - | - |
| 输出模式 | LVCMOS / HCMOS | - | - | - |
| 频率稳定性 | ±25ppm | - | - | - |
| 工作电流 | 3.8mA | - | - | - |
| 系列 | SiT8008 | - | 1N4148WS / BAV16WS | - |
| 反向峰值电压（最大值） | - | 100V | 75V | 75V |
| 反向漏电流IR | - | 100µA | 1μA | 1μA |
| 工作温度-结 | - | -55°C~150°C | -65°C~150°C | -65°C~150°C |
| 反向恢复时间(trr) | - | 4ns | 4ns | 4ns |
| 平均整流电流 | - | 150mA | 150mA | 150mA |
| 正向压降VF | - | 1.2V | 1.25V | 750mV |
| 反向耐压VR | - | 100V | 75V | 75V |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 二极管配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 速度 | - | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 快速恢复=<500ns，>200mA（Io） |
| 二极管类型 | - | 标准 | 标准 | 标准 |
| 包装 | - | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
| 正向压降VF Max | - | 1V | 1.25V | 1.25V |
| 最小包装 | - | 10000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - | 350mA | 2A | 2A |
| 应用 | - | 汽车 | 工业 | 通用 |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 品牌 | - | Vishay | DIODES | DIODES |
| 总电容C | - | 4pF | 2pF | 2pF |
| 制造商标准提前期 | - | 16 周 | - | - |
| 功率耗散（最大值） | - | - | 200mW | 200mW |
| 应用等级 | - | - | AEC-Q101 | - |
| 脚间距 | - | - | 2.2mm | - |
| 反向击穿电压 | - | - | 75V | 75V |
| 正向电流 | - | - | - | 300mA |
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