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SIT8008BI-83-18E-50.000000T 与
TL431BIDG、TL431BQDR、TL431BID 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -40℃~+85℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+85℃ |
| 供电电压 | 1.8V | - | - | - |
| 主频频率 | 50MHz | - | - | - |
| 频率误差 | ±50ppm | - | - | - |
| 封装/外壳 | SMD7050_4P | SOIC-8 | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 引脚数 | 4Pin | 8Pin | 8Pin | 8Pin |
| 类型 | MEMS (Silicon) | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 7.00 x 5.00mm | 4.90 x 3.90mm | 5.00 x 3.98mm | 5.00 x 3.98mm |
| 原产国家 | America | - | - | - |
| 产品状态 | Active | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 控脚功能 | Output Enable | - | - | - |
| 应用领域 | Industrial | - | - | - |
| 输出模式 | LVCMOS | - | - | - |
| 工作电流 | 4.1mA | - | - | - |
| 频率稳定性 | ±50ppm | - | - | - |
| 系列 | SiT8008 | - | - | - |
| 占空比 | 45/55% | - | - | - |
| 高度 | 1.00mm | 1.38mm | 1.75mm | 1.75mm |
| 输出波形 | Square Wave | - | - | - |
| 存储温度 | -65℃~+150℃ | - | - | - |
| 启动时间 | 5ms | - | - | - |
| 禁用电流电源 | 4mA | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 等级 | Industrial | - | - | - |
| 原始制造商 | SiTime Corporation | ON Semiconductor Inc. | Texas Instruments Incorporated | Texas Instruments Incorporated |
| 阴极电流 | - | 1mA | 700μA | 700μA |
| 输出电流 | - | 100mA | 100mA | 100mA |
| 初始精度（误差） | - | ±0.4% | ±0.5% | ±0.5% |
| 参考源类型 | - | Shunt | Shunt | Shunt |
| 输出电压 | - | 2.495V | 2.495V | 2.495V |
| 输出类型 | - | Adjustable | Adjustable | Adjustable |
| 精度 | - | ±0.4% | ±0.5% | ±0.5% |
| 温度系数（温漂） | - | 50ppm/℃ | - | - |
| 容差 | - | ±0.4% | ±0.5% | ±0.5% |
| 品牌 | - | Onsemi | TI | TI |
| 输入电压 | - | - | - | - |
| 脚间距 | - | - | 1.27mm | 1.27mm |
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