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SIT8008BI-73-18E-24.000000D 与
L6386ED013TR、IR21094SPBF、IR21844SPBF 的区别
制造商：SiTime 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥5.86872 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Infineon 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Infineon 最优价格：￥15.68006 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 长x宽/尺寸 | 2.00 x 1.60mm | 8.65 x 3.90mm | 8.65 x 3.90mm | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SMD2016_4P | SOIC14_150MIL | SOICN-14_8.65X3.9MM | SOIC14 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ |
| 供电电压 | 1.8V | - | - | - |
| 主频频率 | 24MHz | - | - | - |
| 年老化率 | ±1.5ppm/year | - | - | - |
| 类型 | MEMS (Silicon) | - | - | - |
| 频率误差 | ±50ppm | - | - | - |
| 引脚数 | 4Pin | 14Pin | 14Pin | - |
| 原始制造商 | SiTime Corporation | STMicroelectronics | Infineon Technologies AG | Infineon Technologies AG |
| 原产国家 | America | - | - | - |
| 高度 | 0.75mm | 1.75mm | 1.38mm | - |
| 等级 | Industrial | - | - | - |
| 输出波形 | Square Wave | - | - | - |
| 存储温度 | -65℃~+150℃ | - | - | - |
| 封装技术 | SIP | - | - | - |
| 版本 | "B" is the Vevision | - | - | - |
| 控脚功能 | Output Enable | - | - | - |
| 印字类型 | Laser | - | - | - |
| 输出模式 | LVCMOS | - | - | - |
| 频率稳定性 | ±50ppm | - | - | - |
| 工作电流 | 4.1mA | - | - | - |
| 启动时间 | 5ms | - | - | - |
| 系列 | SiT8008 | - | - | - |
| 产品状态 | Active | - | - | - |
| 认证信息 | RoHS | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 材质 | Silicon MEMS | - | - | - |
| 禁用电流电源 | 4mA | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 通道类型 | - | Independent | Synchronous | Synchronous |
| 输出电流 | - | 400mA,650mA | - | - |
| 输出类型 | - | - | - | - |
| 工作电压 | - | 17V | 10V~20V | 10V~20V |
| 上升/下降时间 | - | 50ns，30ns | 150ns，50ns | 40ns，20ns |
| 通道数 | - | 2 | - | 2 |
| 最小包装 | - | 2500pcs | - | - |
| 电源电压 | - | 17V | - | 10V~20V |
| 驱动器数 | - | 2 | 2 | 2 |
| 栅极类型 | - | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET |
| 品牌 | - | ST | Infineon | Infineon |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | - | 1.5V，3.6V | 0.8V，2.9V | 0.8V，2.7V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | - | 400mA，650mA | 200mA，350mA | 1.9A，2.3A |
| 峰值灌电流 | - | 650mA | 350mA | 1.8A |
| 峰值拉电流 | - | 400mA | - | 1.4A |
| 输入类型 | - | Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - | 600V | 600V | 600V |
| 负载类型 | - | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT |
| 下降时间 | - | - | - | 20ns |
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