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    SIT8008BI-73-18E-24.000000DIR21844SPBF、L6386ED013TR、IR21094SPBF 的区别

    SIT8008BI-73-18E-24.000000D

    制造商:SiTime

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    IR21844SPBF

    制造商:Infineon

    最优价格:¥15.68006

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    L6386ED013TR

    制造商:ST

    最优价格:¥5.86872

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    IR21094SPBF

    制造商:Infineon

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    ECCN编码
    引脚数4Pin-14Pin14Pin
    长x宽/尺寸2.00 x 1.60mm-8.65 x 3.90mm8.65 x 3.90mm
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SMD2016_4PSOIC14SOIC14_150MILSOICN-14_8.65X3.9MM
    工作温度-40℃~+85℃-40℃~+150℃-40℃~+150℃-40℃~+150℃
    供电电压1.8V---
    主频频率24MHz---
    年老化率±1.5ppm/year---
    类型MEMS (Silicon)---
    频率误差±50ppm---
    产品状态Active---
    是否无铅YesYesYesYes
    认证信息RoHS---
    材质Silicon MEMS---
    禁用电流电源4mA---
    元件生命周期Active---
    原始制造商SiTime CorporationInfineon Technologies AGSTMicroelectronicsInfineon Technologies AG
    原产国家America---
    高度0.75mm-1.75mm1.38mm
    等级Industrial---
    输出波形Square Wave---
    存储温度-65℃~+150℃---
    封装技术SIP---
    版本"B" is the Vevision---
    控脚功能Output Enable---
    印字类型Laser---
    输出模式LVCMOS---
    工作电流4.1mA---
    频率稳定性±50ppm---
    系列SiT8008---
    启动时间5ms---
    通道类型-SynchronousIndependentSynchronous
    工作电压-10V~20V17V10V~20V
    上升/下降时间-40ns,20ns50ns,30ns150ns,50ns
    通道数-22-
    品牌-InfineonSTInfineon
    负载类型-MOSFET;IGBTMOSFET;IGBTMOSFET;IGBT
    电源电压-10V~20V17V-
    下降时间-20ns--
    驱动器数-222
    峰值拉电流-1.4A400mA-
    栅极类型-IGBT, N通道 MOSFETIGBT, N通道 MOSFETIGBT, N通道 MOSFET
    峰值灌电流-1.8A650mA350mA
    逻辑电压 -VIL,VIH-0.8V,2.7V1.5V,3.6V0.8V,2.9V
    电流-峰值输出(灌入,拉出)-1.9A,2.3A400mA,650mA200mA,350mA
    输入类型-Non-InvertingInvertingNon-Inverting
    高压侧电压-最大值(自举)-600V600V600V
    输出电流--400mA,650mA-
    输出类型----
    最小包装--2500pcs-
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