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    SIT8008BI-73-33E-11.666667E1N4148WS-7-F、1N4148WSQ-7-F、MMDL914T1G 的区别

    SIT8008BI-73-33E-11.666667E

    制造商:SiTime

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    1N4148WS-7-F

    制造商:DIODES

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    1N4148WSQ-7-F

    制造商:DIODES

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    MMDL914T1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    工作温度-40℃~+85℃-65℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃
    供电电压3.3V---
    主频频率11.666667MHz---
    类型MEMS (Silicon)---
    频率误差±50ppm---
    年老化率±1ppm/year---
    长x宽/尺寸2.00 x 1.60mm1.70 x 1.30mm1.70 x 1.30mm1.80 x 1.35mm
    引脚数4Pin2Pin2Pin2Pin
    封装/外壳SMD2016_4PSOD-323SOD-323SOD-323
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    是否无铅YesYesYesYes
    等级Industrial---
    材质Silicon MEMS---
    元件生命周期ActiveActiveActive-
    原始制造商SiTime CorporationDiodes IncorporatedDiodes IncorporatedON Semiconductor Inc.
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    印字类型Laser---
    控脚功能Output Enable---
    输出模式LVCMOS---
    频率稳定性±50ppm---
    工作电流4.5mA---
    系列SiT80081N4148WS / BAV16WS--
    启动时间5ms---
    高度0.75mm1.10mm1.05mm1.00mm
    产品状态Active---
    输出波形Square Wave---
    认证信息RoHSRoHS--
    存储温度-65℃~+150℃-65~+150℃-65~+150℃-55℃~+150℃
    占空比45/55%---
    封装技术SIP---
    禁用电流电源4.2mA---
    版本"B" is the Vevision---
    反向恢复时间(trr)-4ns4ns4ns
    反向峰值电压(最大值)-75V75V-
    反向耐压VR-75V75V100V
    二极管类型-标准标准标准
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    正向压降VF-1.25V750mV1V
    包装-Tape/ReelTape/ReelTape/Reel
    平均整流电流-150mA150mA200mA
    工作温度-结--65°C~150°C-65°C~150°C-55°C~150°C
    功率耗散(最大值)-200mW200mW200mW
    反向漏电流IR-1μA1μA5µA
    二极管配置-单路单路独立式
    速度-小信号 =< 200mA(Io),任意速度 快速恢复=<500ns,>200mA(Io)小信号 =< 200mA(Io),任意速度
    品牌-DIODESDIODESOnsemi
    正向压降VF Max-1.25V1.25V1V
    总电容C-2pF2pF4pF
    反向击穿电压-75V75V-
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-2A2A36A
    零件状态-ActiveActiveActive
    应用-工业通用通用
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    应用等级-AEC-Q101--
    脚间距-2.2mm-2.42mm
    正向电流--300mA200mA
    制造商标准提前期---11 周
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