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    AO3400AAO3400A、AO3400A、VB1330 的区别

    AO3400A

    制造商:AOS

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    AO3400A

    制造商:UMW

    最优价格:¥0.09130

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    AO3400A

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.25932

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    VB1330

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.30495

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    Vgs(Max)±12V±12V±12V±20V
    FET功能----
    配置单路单路单路单路
    阈值电压1.5V@250µA1.1V1.5V@250µA1.1V@250µA
    连续漏极电流5.7A5.8A5.7A5.3A
    晶体管类型N沟道-N沟道N沟道
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)30V30V30V30V
    漏极电流5.7A-5.7A-
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    额定功率1.4W-1.4W-
    高度1.25mm1.15mm1.25mm1.12mm
    类型1个N沟道-1个N沟道-
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    品牌AOSUMWAOSVBsemi
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    输入电容630pF@15V823pF630pF@15V335pF
    击穿电压30V30V30V30V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,10V-2.5V,10V-
    栅极源极击穿电压±12V±12V±12V±20V
    反向传输电容Crss50pF77pF50pF17pF
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)-
    充电电量6nC-6nC2.1nC
    功率耗散1.4W1.4W1.4W1.1W
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    系列----
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)-
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    是否无铅YesYesYesYes
    原始制造商Alpha and Omega SemiconductorShenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.Alpha and Omega SemiconductorVBsemi Electronics Co. Ltd
    原产国家AmericaChinaAmericaChina Taiwan
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26.5mΩ@10V,5.7A28mΩ26.5mΩ@10V,5.7A33mΩ
    长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.60mm3.04 x 1.40mm
    栅极电荷(Qg)-9.7nC-6.7nC
    认证信息-RoHS--
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