购物车
上传BOM
ATMEGA8515L-8AUR 与
SUD19N20-90-E3、FQD18N20V2TM、RCD100N20TL 的区别
制造商：Microchip 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥5.34600 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥5.55179 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ROHM 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 连接性 | EBI/EMI，SPI，UART/USART | - | - | - |
| 程序空间类型 | 闪存 | - | - | - |
| 工作电压（范围） | 2.7V~5.5V | - | - | - |
| CPU内核 | AVR | - | - | - |
| I/O数 | 35 | - | - | - |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 带卷（TR） |
| 封装/外壳 | TQFP44 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) |
| 时钟源 | 内部 | - | - | - |
| 主频速度（Max） | 8MHz | - | - | - |
| 程序存储容量 | 8KB(4Kx16) | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 3（168 小时） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 核心尺寸 | 8-位 | - | - | - |
| EEPROM容量 | 512x8 | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 外设 | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 13 周 | 19 周 | 6 周 | 17 周 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | +150℃ |
| 最大时钟频率 | 8MHz | - | - | - |
| 看门狗 | 有 | - | - | - |
| 零件状态 | 在售 | Active | Active | Active |
| 系列 | AVR®ATmega | TrenchFET® | QFET® | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | 200V | 200V |
| 连续漏极电流 | - | 19A | 15A | 10A |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 阈值电压 | - | 4V@250µA | 5V@250µA | 5.25V@1mA |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | SMT |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±30V | - |
| 功率耗散 | - | 3W,136W | 2.5W,83W | 850mW,20W |
| 输入电容 | - | 1.8nF@25V | 1.08nF@25V | 1.4nF@25V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 6V，10V | 10V | - |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | - |
| 额定功率 | - | 3W,136W | 2.5W,83W | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 90mΩ@10V,5A | 140mΩ@7.5A,10V | 182毫欧@5A，10V |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | - |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 加入购物车 | 询价 | 加入购物车 | 加入购物车 | 询价 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监