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    GRT155R71H104KE01D1N4007RLG、1N4007-E3/54、BYV26E 的区别

    GRT155R71H104KE01D

    制造商:Murata

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    1N4007RLG

    制造商:ON

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    1N4007-E3/54

    制造商:Vishay

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    BYV26E

    制造商:EIC

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    ECCN编码
    包装Tape/ReelTape/ReelTape/Reel-
    长x宽/尺寸1.00 x 0.50mmΦ2.70 x 5.20mmΦ2.70 x 5.20mm-
    安装类型SMT插件插件-
    等级AEC-Q200---
    工作温度-55℃~+125℃-65℃~+175℃--
    应用领域Automotive Electronics,General---
    额定电压50V---
    精度±10%---
    容值100nF---
    封装/外壳0402DO-41(DO-204AL)DO-41(DO-204AL)DO-204AL
    成分Ceramic---
    封装技术Multilayer---
    最小包装10000pcs5000pcs5500pcs-
    引脚数2Pin2Pin2Pin-
    高度0.50mm2.70mm8.85mm-
    认证信息RoHS---
    温度系数Tf±15ppm/℃---
    电介质X7R---
    原产国家JapanAmericaAmerica-
    原始制造商Murata Manufacturing Co., Ltd.ON Semiconductor Inc.Vishay Intertechnology, Inc.-
    元件生命周期ActiveActiveActive-
    零件状态ActiveActiveActive-
    系列GRT1N4001 - 1N4007--
    是否无铅YesYesYes-
    品牌MuRataOnsemiVishay-
    卷盘尺寸Φ180mm---
    二极管配置-单路单路-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    二极管类型-标准标准Avalanche
    反向耐压VR-1KV1KV1000V
    正向压降VF-1.1V1.1V2.5V@1A
    工作温度-结--65°C~175°C-50°C~150°C-65℃~+175℃
    平均整流电流-1A1A1A
    反向峰值电压(最大值)-1KV1KV-
    反向漏电流IR-50nA5μA5μA@1KV
    速度-标准恢复>500ns,>200mA(Io)标准恢复>500ns,>200mA(Io)Fast Recovery =< 500ns,> 200mA(Io)
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-30A30A-
    正向压降VF Max-1.1V1.1V-
    存储温度--65℃~+175℃-55℃~+150℃-
    应用-通用--
    制造商标准提前期-11 周10 周-
    正向电流-1A--
    总电容C--15pF-
    脚间距--9.3mm-
    反向恢复时间(trr)---75ns
    Vf正向峰值电压---2.5V @ 1 A
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