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    GRT155R71H104KE01DBYV26E、1N4007G-T、UF4007GP-TP 的区别

    GRT155R71H104KE01D

    制造商:Murata

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    BYV26E

    制造商:EIC

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    1N4007G-T

    制造商:DIODES

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    UF4007GP-TP

    制造商:MCC

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    ECCN编码
    成分Ceramic---
    封装/外壳0402DO-204ALDO-41(DO-204AL)DO-41(DO-204AL)
    包装Tape/Reel-Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    长x宽/尺寸1.00 x 0.50mm-Φ2.72 x 5.21mm4.65 x 2.35mm
    安装类型SMT-插件插件
    等级AEC-Q200---
    应用领域Automotive Electronics,General---
    工作温度-55℃~+125℃---55℃~+150℃(TJ)
    额定电压50V---
    精度±10%---
    容值100nF---
    是否无铅Yes-YesYes
    系列GRT---
    品牌MuRata-DIODES-
    卷盘尺寸Φ180mm---
    封装技术Multilayer---
    最小包装10000pcs-5000pcs5000pcs
    引脚数2Pin-2Pin2Pin
    高度0.50mm-2.72mm2.35mm
    认证信息RoHS---
    温度系数Tf±15ppm/℃---
    原产国家Japan-America-
    电介质X7R---
    原始制造商Murata Manufacturing Co., Ltd.-Diodes Incorporated-
    元件生命周期Active---
    零件状态Active-ActiveActive
    二极管类型-Avalanche-标准
    反向耐压VR-1000V1KV1KV
    平均整流电流-1A1A1A
    正向压降VF-2.5V@1A1V1.7V
    工作温度-结--65℃~+175℃-65°C~175°C-55°C~150°C
    反向漏电流IR-5μA@1KV5μA5μA@1KV
    反向恢复时间(trr)-75ns2µs75ns
    速度-Fast Recovery =< 500ns,> 200mA(Io)-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)
    Vf正向峰值电压-2.5V @ 1 A--
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    正向压降VF Max--1V-
    制造商标准提前期--6 周8 周
    脚间距--9.27mm-
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