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IRLML5203TRPBF 与
DMG2305UX-7、DMG2305UX-13 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 漏极电流 | 3A | 4.2A | 4.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | |
| FET功能 | - | - | - | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±8V | ±8V | |
| 配置 | 单路 | - | - | |
| 阈值电压 | 2.5V@250µA | 900mV | 900mV | |
| 连续漏极电流 | 3A | 4.2A | 4.2A | |
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 20V | 20V | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 认证信息 | RoHS | - | - | |
| 品牌 | Infineon | DIODES | DIODES | |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | |
| 额定功率 | 1.25W | 1.4W | 1.4W | |
| 输入电容 | 510pF@25V | 808pF | 808pF | |
| 击穿电压 | 30V | 20V | 20V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 98mΩ@10V,3A | 52mΩ@4.5V,4.2A | 52mΩ@4.5V,4.2A | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±8V | ±8V | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 1.8V，4.5V | 1.8V，4.5V | |
| 反向传输电容Crss | 43pF | - | - | |
| 充电电量 | 9.5nC | 10.2nC | 10.2nC | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 功率耗散 | 1.25W | 1.4W | 1.4W | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | |
| 高度 | 1.12mm | 1.00mm | 1.00mm | |
| 系列 | HEXFET® | - | - | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 10000pcs | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 原产国家 | Germany | America | America | |
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | |
| 印字代码 | XYWLC | - | - | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 10.2nC | 10.2nC | |
| 制造商标准提前期 | - | 8 周 | 5 周 | |
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