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    AO3400AAO3400A、VB1330 的区别

    AO3400A

    制造商:UMW

    最优价格:¥0.09130

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    AO3400A

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.25932

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    VB1330

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.30495

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    ECCN编码
    Vgs(Max)±12V±12V±20V
    阈值电压1.1V1.5V@250µA1.1V@250µA
    连续漏极电流5.8A5.7A5.3A
    栅极电荷(Qg)9.7nC-6.7nC
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMT
    配置单路单路单路
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)30V30V30V
    击穿电压30V30V30V
    元件生命周期ActiveActiveActive
    零件状态ActiveActiveActive
    原始制造商Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.Alpha and Omega SemiconductorVBsemi Electronics Co. Ltd
    原产国家ChinaAmericaChina Taiwan
    输入电容823pF630pF@15V335pF
    认证信息RoHS--
    反向传输电容Crss77pF50pF17pF
    栅极源极击穿电压±12V±12V±20V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ26.5mΩ@10V,5.7A33mΩ
    功率耗散1.4W1.4W1.1W
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm2.90 x 1.60mm3.04 x 1.40mm
    高度1.15mm1.25mm1.12mm
    品牌UMWAOSVBsemi
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    极性N-沟道N-沟道N-沟道
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs
    是否无铅YesYesYes
    FET功能---
    晶体管类型-N沟道N沟道
    漏极电流-5.7A-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-2.5V,10V-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-
    充电电量-6nC2.1nC
    系列---
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-
    额定功率-1.4W-
    类型-1个N沟道-
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