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VB1330 与
CJ3400A、AO3400A 的区别
制造商：VBsemi 最优价格：￥0.30495 查看详情 查看数据资料 | 制造商：JSCJ 最优价格：￥0.19271 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.25932 查看详情 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 栅极电荷(Qg) | 6.7nC | - | - | |
| 连续漏极电流 | 5.3A | 5.8A | 5.7A | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 配置 | 单路 | - | 单路 | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | +150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±12V | ±12V | |
| 阈值电压 | 1.1V@250µA | - | 1.5V@250µA | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±12V | ±12V | |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | |
| 品牌 | VBsemi | JSCJ | AOS | |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | |
| 原产国家 | China Taiwan | - | America | |
| 原始制造商 | VBsemi Electronics Co. Ltd | - | Alpha and Omega Semiconductor | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | |
| 零件状态 | Active | - | Active | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
| 是否无铅 | Yes | - | Yes | |
| 高度 | 1.12mm | 1.15mm | 1.25mm | |
| 长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | 3.00 x 1.40mm | 2.90 x 1.60mm | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ | |
| 充电电量 | 2.1nC | - | 6nC | |
| 功率耗散 | 1.1W | 400mW | 1.4W | |
| 反向传输电容Crss | 17pF | - | 50pF | |
| 输入电容 | 335pF | 1.155nF | 630pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 33mΩ | 32mΩ | 26.5mΩ@10V,5.7A | |
| 击穿电压 | 30V | - | 30V | |
| 额定功率 | - | 400mW | 1.4W | |
| 漏极电流 | - | - | 5.7A | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 系列 | - | - | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | - | 1（无限） | |
| 类型 | - | - | 1个N沟道 | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | 2.5V，10V | |
| 技术路线 | - | - | MOSFET (Metal Oxide) | |
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