尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    OPA1612AIDRGRBC817-25LT1G、BC817-25LT3G 的区别

    OPA1612AIDRGR

    制造商:TI

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    BC817-25LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.15789

    查看详情 查看数据资料

    BC817-25LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.13081

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    压摆率27V/μs--
    封装/外壳SON8_3X3MM_EPSOT-23SOT-23
    电源电压,单/双(±)4.5V~36V,±2.25V~±18V--
    工作温度-40℃~+85℃-65℃~+150℃-65℃~+150℃
    输入偏置电流60nA--
    安装类型SMTSMTSMT
    每个通道的输出电流62mA--
    增益带宽积(GBP)80MHz--
    引脚数9Pin3Pin3Pin
    通道数2--
    长x宽/尺寸3.00 x 3.00mm2.90 x 1.30mm2.89 x 1.29mm
    高度0.80mm1.00mm1.01mm
    晶体管类型-NPNNPN
    包装-Tape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    跃迁频率-100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)-160@100mA,1V160
    配置-单路-
    Vce饱和压降-700mV700mV
    集射极击穿电压Vce(Max)-45V45V
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA100nA
    最小包装-3000pcs-
    零件状态-ActiveActive
    元件生命周期-Active-
    原始制造商-ON Semiconductor Inc.-
    品牌-ONON
    系列--Original
    原产国家-America-
    制造商标准提前期-12 周4 周
    认证信息-RoHS-
    是否无铅-YesYes
    特征频率(fT)-100MHz100MHz
    发射极基极导通电压VBE(on)-1.2V-
    额定功率-300mW225mW
    集电极电流 Ic-500mA500mA
    极性-NPN-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-45V45V
    集电极-基极电压(VCBO)-50V-
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V-
    功率耗散-300mW225mW
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO-45V-
    脚间距--1.9mm
    加入购物车询价加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照