尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    OPA1612AIDRGRBC817-25、BC817-25_R1_00001、BC817-25LT1G 的区别

    OPA1612AIDRGR

    制造商:TI

    最优价格:¥37.83460

    查看详情 查看数据资料

    BC817-25

    制造商:DIOTEC

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    BC817-25_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.09951

    查看详情 查看数据资料

    BC817-25LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.15789

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    输入偏置电流60nA---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    每个通道的输出电流62mA---
    增益带宽积(GBP)80MHz---
    压摆率27V/μs---
    封装/外壳SON8_3X3MM_EPSOT-23SOT-23SOT-23
    电源电压,单/双(±)4.5V~36V,±2.25V~±18V---
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃
    长x宽/尺寸3.00 x 3.00mm2.90 x 1.30mm2.92 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度0.80mm1.10mm1.00mm1.00mm
    引脚数9Pin3Pin3Pin3Pin
    通道数2---
    Vce饱和压降-700mV-700mV
    集射极击穿电压Vce(Max)-45V45V45V
    包装-Tape/reel-Tape/reel
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    DC电流增益(hFE)-160~400160@100mA,1V160@100mA,1V
    跃迁频率-100MHz-100MHz
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V-5V
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-45V45V45V
    特征频率(fT)-100MHz100MHz100MHz
    零件状态-ActiveActiveActive
    原始制造商-Diotec Semiconductor AG-ON Semiconductor Inc.
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO-45V-45V
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA-100nA
    额定功率-310mW330mW300mW
    最小包装-3000pcs-3000pcs
    集电极电流 Ic-800mA500mA500mA
    品牌-DiotecPANJITON
    功率耗散-310mW330mW300mW
    极性-NPN-NPN
    发射极基极导通电压VBE(on)-1.2V-1.2V
    系列--BC817-
    是否无铅--YesYes
    原产国家--ChinaAmerica
    认证信息--RoHSRoHS
    存储温度---55℃~+150℃-
    元件生命周期--ActiveActive
    配置---单路
    集电极-基极电压(VCBO)---50V
    湿气敏感性等级 (MSL)---1(无限)
    制造商标准提前期---12 周
    加入购物车加入购物车询价加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照