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STL130N6F7 与
M95640-WMN6P 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | PowerFLAT-8 | SO-8_4.9X3.9MM | ||
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -40℃~+85℃ | ||
| Vgs(Max) | ±20V | - | ||
| 连续漏极电流 | 130A | - | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | - | ||
| 包装 | Tape/reel | Tube packing | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 阈值电压 | 4V@250µA | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||
| 栅极电荷(Qg) | 42nC | - | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 是否无铅 | Yes | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | ||
| 原始制造商 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | ||
| 原产国家 | Switzerland | - | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 引脚数 | 8Pin | 8Pin | ||
| 高度 | 1.00mm | 1.25mm | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@13A,10V | - | ||
| 额定功率 | 4.8W,125W | - | ||
| 系列 | STripFET™F7 | - | ||
| 类型 | 1个N沟道 | - | ||
| 输入电容 | 2.6nF@25V | - | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | ||
| 品牌 | ST | ST | ||
| 制造商标准提前期 | 22 周 | 6 周 | ||
| 极性 | N-沟道 | - | ||
| 最小包装 | 3000pcs | - | ||
| 功率耗散 | 125W | - | ||
| 长x宽/尺寸 | 6.15 x 5.20mm | 4.90 x 3.90mm | ||
| 元件生命周期 | Active | - | ||
| 存储容量 | - | 64Kbit | ||
| 最大时钟频率 | - | 20MHz | ||
| 写周期时间(Tw) | - | 5ms | ||
| 接口类型 | - | SPI | ||
| 工作电压（范围） | - | 5.5V | ||
| 存储器类型 | - | 非易失 | ||
| 存储器格式 | - | EEPROM | ||
| 技术 | - | EEPROM | ||
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