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STD25N10F7 与
NTD6414ANT4G、STD30N10F7、STD25NF10LT4 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 漏极电流 | 25A | - | - | 25A |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | 20V | ±16V |
| 阈值电压 | 4.5V | 4V@250µA | 4.5V | 2.5V |
| 配置 | 单路 | - | 单路 | 单路 |
| 连续漏极电流 | 25A | 32A | 32A | 25A |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 100V | 100V | 100V |
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | DPAK3 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | 20V | ±16V |
| 额定功率 | 40W | 100W | - | 100W |
| 输入电容 | 920pF | 1.45nF@25V | 1.27nF | 1.71nF |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | 10V | 10V | 4.5V，10V |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 长x宽/尺寸 | 6.50 x 6.10mm | 6.73 x 6.22mm | 6.60 x 6.20mm | 6.50 x 6.10mm |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 高度 | 2.40mm | 2.38mm | 2.40mm | 2.40mm |
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,12.5A | 37毫欧@32A，10V | 24毫欧@16A，10V | 35mΩ@10V,12.5A |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | - | 1个N沟道 |
| 系列 | DeepGATE™,STripFET™VII | - | DeepGATE™,STripFET™VII | STripFET™II |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 制造商标准提前期 | 26 周 | 9 周 | - | 26 周 |
| 是否无铅 | Yes | Yes | No | Yes |
| 充电电量 | 14nC | - | 19nC | 52nC |
| 品牌 | ST | ON | ST | ST |
| 功率耗散 | 40W | 100W | 50W | 100W |
| 原始制造商 | - | WAVESHARE ELECTRONICS | - | - |
| 元件生命周期 | - | - | Active | - |
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