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    STD25N10F7AOD482、IPD30N10S3L-34、NTD6414ANT4G 的区别

    STD25N10F7

    制造商:ST

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    AOD482

    制造商:AOS

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    IPD30N10S3L-34

    制造商:Infineon

    最优价格:¥4.14751

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    NTD6414ANT4G

    制造商:ON

    最优价格:¥12.36000

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    ECCN编码
    漏源电压(Vdss)100V100V100V100V
    封装/外壳TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)TO-252AADPAK3
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    FET功能----
    漏极电流25A---
    Vgs(Max)±20V±20V±20V±20V
    阈值电压4.5V2.7V@250µA2.4V@29µA4V@250µA
    配置单路单路单路-
    连续漏极电流25A32A30A32A
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    制造商标准提前期26 周16 周26 周9 周
    是否无铅YesYesYesYes
    充电电量14nC---
    功率耗散40W100W57W100W
    品牌STAOSInfineonON
    栅极源极击穿电压±20V±20V±20V-
    输入电容920pF2nF@50V1.52nF1.45nF@25V
    额定功率40W2.5W,100W-100W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V4.5V,10V4.5V,10V10V
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    长x宽/尺寸6.50 x 6.10mm6.60 x 6.10mm6.73 x 6.22mm6.73 x 6.22mm
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    高度2.40mm2.29mm2.39mm2.38mm
    最小包装2500pcs2500pcs2500pcs2500pcs
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,12.5A37mΩ@10V,10A31毫欧@30A,10V37毫欧@32A,10V
    类型1个N沟道1个N沟道-1个N沟道
    系列DeepGATE™,STripFET™VII-OptiMOS™-
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    元件生命周期-ActiveActive-
    原始制造商-Alpha and Omega SemiconductorInfineon Technologies AGWAVESHARE ELECTRONICS
    原产国家-AmericaGermany-
    存储温度--55℃~+175℃-55℃~+175℃-
    击穿电压-100V100V-
    反向传输电容Crss--45pF-
    无卤--Yes-
    认证信息--RoHS-
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