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STD25N10F7 与
STD25NF10LT4、AOD482、IPD30N10S3L-34 的区别
制造商：ST 最优价格：￥ 查看详情 | 制造商：ST 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥1.40000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Infineon 最优价格：￥4.14751 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| Vgs(Max) | ±20V | ±16V | ±20V | ±20V |
| 配置 | 单路 | 单路 | 单路 | 单路 |
| 阈值电压 | 4.5V | 2.5V | 2.7V@250µA | 2.4V@29µA |
| 连续漏极电流 | 25A | 25A | 32A | 30A |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | 100V | 100V | 100V |
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252AA |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 漏极电流 | 25A | 25A | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±16V | ±20V | ±20V |
| 额定功率 | 40W | 100W | 2.5W,100W | - |
| 输入电容 | 920pF | 1.71nF | 2nF@50V | 1.52nF |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 长x宽/尺寸 | 6.50 x 6.10mm | 6.50 x 6.10mm | 6.60 x 6.10mm | 6.73 x 6.22mm |
| 高度 | 2.40mm | 2.40mm | 2.29mm | 2.39mm |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,12.5A | 35mΩ@10V,12.5A | 37mΩ@10V,10A | 31毫欧@30A，10V |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | - |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 系列 | DeepGATE™,STripFET™VII | STripFET™II | - | OptiMOS™ |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 制造商标准提前期 | 26 周 | 26 周 | 16 周 | 26 周 |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 充电电量 | 14nC | 52nC | - | - |
| 功率耗散 | 40W | 100W | 100W | 57W |
| 品牌 | ST | ST | AOS | Infineon |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 击穿电压 | - | - | 100V | 100V |
| 元件生命周期 | - | - | Active | Active |
| 原始制造商 | - | - | Alpha and Omega Semiconductor | Infineon Technologies AG |
| 原产国家 | - | - | America | Germany |
| 反向传输电容Crss | - | - | - | 45pF |
| 无卤 | - | - | - | Yes |
| 认证信息 | - | - | - | RoHS |
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