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    9HT10-32.768KDZF-T2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F、2V7002LT1G 的区别

    9HT10-32.768KDZF-T

    制造商:TXC

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    系列9HT10Automotive,AEC-Q101-Automotive,AEC-Q101
    零件状态在售ActiveActiveActive
    对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求---
    封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    阈值电压-2.5V2.5V@250µA2.5V@250µA
    连续漏极电流-170mA250mA115mA
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    安装类型-SMTSMTSMT
    包装-Tape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel
    栅极电荷(Qg)-0.233nC--
    原产国家-America-America
    元件生命周期-Active--
    最小包装-3000pcs-3000pcs
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    高度-1.15mm1.10mm1.11mm
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5,10V4.5V,10V5V,10V
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    击穿电压-60V-60V
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    输入电容-50pF50pF@25V50pF@25V
    栅极源极击穿电压-±20V-±20V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    功率耗散-370mW370mW225mW
    额定功率-370mW370mW225mW
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA7.5Ω@10V,500mA
    原始制造商-Diodes Incorporated-ON Semiconductor
    品牌-DIODESDIODESON
    FET功能----
    是否无铅--YesYes
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    制造商标准提前期--12 周26 周
    漏极电流---115mA
    配置---单路
    印字代码---702 M= =
    认证信息---RoHS
    反向传输电容Crss---5pF
    存储温度----55℃~+150℃
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