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BSS138-TP 与
BSS138LT1G、BSS138-7-F、BSS138Q-7-F 的区别
制造商：MCC 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.09328 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.08286 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.38157 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | 带卷（TR） |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| Vgs(Max) | ±20V | - | ±20V | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 连续漏极电流 | 220mA | 200mA（Ta） | 200mA | 200mA |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | 50V | 50V | 50V |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 配置 | 单路 | 单路 | - | - |
| 功率耗散 | 350mW | 225mW | 300mW | 300mW |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω | 3.5Ω@5V,200mA | 3.5Ω@10V,220mA | 3.5Ω@10V,220mA |
| 输入电容 | 60pF | 40pF | 50pF | 50pF |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 是否无铅 | Yes | Yes | No | Yes |
| 品牌 | MCC | ON | DIODES | - |
| 长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | 2.92 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 原始制造商 | Micro Commercial Components | ON Semiconductor Inc. | - | - |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 原产国家 | America | America | - | - |
| 高度 | 1.10mm | 1.00mm | 1.05mm | 1.025mm |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | - |
| 反向传输电容Crss | 15pF | 3.5pF | - | - |
| 栅源电压 Vgss | - | ±20V | - | - |
| FET类型 | - | N沟道 | - | - |
| 供应商器件封装 | - | SOT-23-3（TO-236） | - | - |
| 阈值电压 | - | 1.5V@1mA | 1.5V | 1.5V@250µA |
| 技术 | - | MOSFET（金属氧化物） | - | - |
| 漏源极电压（Vdss） | - | 50V | - | - |
| 不同Id时的Vgs（th） | - | 1.5V@1mA | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 5V | 10V | - |
| 击穿电压 | - | 50V | - | - |
| 印字代码 | - | J1 M= = | - | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss） | - | 50pF@25V | - | - |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | - | 3.5欧姆@200mA，5V | - | - |
| 脚间距 | - | 1.9mm | 1.92mm | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 225mW（Ta） | - | - |
| 额定功率 | - | 225mW | 300mW | 300mW |
| 制造商标准提前期 | - | 36 周 | 12 周 | 12 周 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 漏极电流 | - | - | 200mA | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
| 技术路线 | - | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 系列 | - | - | - | - |
| 充电电量 | - | - | - | - |
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