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IRLL2705TRPBF 与
TC7SZ08FU,LJ(CT、74LVC1G08GW-Q100,1 的区别
制造商：Infineon 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Toshiba 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Nexperia 最优价格：￥0.46815 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| Vgs(Max) | ±16V | - | - | |
| 连续漏极电流 | 3.8A | - | - | |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | |
| 阈值电压 | 2V | - | - | |
| 包装 | Tape/reel | - | - | |
| 配置 | 单路 | - | - | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | - | - | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | SOT-223 | TSSOP5_2X1.25MM | TSSOP-5 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -40℃~+85℃ | -40℃~+125℃ | |
| 原产国家 | Germany | Japan | - | |
| 技术路线 | - | - | - | |
| 额定功率 | 1W | - | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V,3.8A | - | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | |
| 类型 | 1个N沟道 | AND Gate | - | |
| 制造商标准提前期 | 10 周 | - | - | |
| 系列 | HEXFET® | TC7SZ | - | |
| 最小包装 | 2500pcs | - | - | |
| 零件状态 | Active | Active | - | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4V，10V | - | - | |
| 功率耗散 | 1W | - | - | |
| 品牌 | Infineon | Toshiba | - | |
| 输入电容 | 870pF@25V | - | - | |
| 极性 | N-沟道 | - | - | |
| 栅极源极击穿电压 | ±16V | - | - | |
| 长x宽/尺寸 | 6.70 x 3.70mm | 2.00 x 1.25mm | 2.20 x 1.35mm | |
| 是否无铅 | Yes | - | - | |
| 高度 | 1.80mm | 0.90mm | 1.10mm | |
| 元件生命周期 | Active | - | - | |
| 引脚数 | 4Pin | 5Pin | 5Pin | |
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Toshiba Corporation | - | |
| 输入数 | - | 2 | - | |
| 转换器类型 | - | 施密特触发器 | - | |
| 电源电压 | - | 1.8V~5.5V | - | |
| 静态电流 | - | 2µA | - | |
| 通道数 | - | 1 | - | |
| 电路数 | - | 1 | - | |
| 延迟时间 | - | 4.5ns | - | |
| 输出电流 | - | 32mA | - | |
| 工作电压 | - | - | 1.65V~5.5V | |
| 逻辑类型 | - | - | 与门 | |
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