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ECCN编码 | ||||
包装 | Tape/Reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
封装/外壳 | 0603 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
容值 | 100nF | - | - | - |
精度 | ±10% | - | - | - |
额定电压 | 50V | - | - | - |
工作温度 | -55℃~+125℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
长x宽/尺寸 | 1.60 x 0.80mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
最小包装 | 4000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
卷盘尺寸 | Φ180mm | - | - | - |
是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
元件生命周期 | Active | Active | Active | Active |
引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
品牌 | Vishay | DIODES | DIODES | DIODES |
电介质 | X7R | - | - | - |
系列 | VJ W1BC Basic | - | - | - |
高度 | 0.80mm | 1.00mm | 1.03mm | 1.00mm |
温度系数Tf | ±15% | - | - | - |
漏极电流 | - | 4A | 3.5A | 3.8A |
FET功能 | - | - | - | - |
阈值电压 | - | 1V | 1.3V | 2.1V |
漏源电压(Vdss) | - | 12V | 30V | 30V |
栅极电荷(Qg) | - | 15.8nC | 24nC | 5.2nC |
连续漏极电流 | - | 4A | 3A | 3.8A |
晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
充电电量 | - | 15.8nC | 24nC | 5.2nC |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | - | 31毫欧@4A,4.5V | - | 65毫欧@3.8A,10V |
功率耗散 | - | 800mW | 700mW | 1.08W |
额定功率 | - | 800mW | 700mW | 1.08W |
输入电容 | - | 1.357nF | 864pF | 563pF |
栅极源极击穿电压 | - | ±8V | ±12V | ±20V |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 31mΩ@4.5V,4A | 77mΩ@10V,4.2A | 65mΩ@10V,3.8A |
类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
反向传输电容Crss | - | 235pF | 62pF | 41pF |
技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
零件状态 | - | Active | Active | Active |
原产国家 | - | America | America | America |
原始制造商 | - | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
制造商标准提前期 | - | 8 周 | 8 周 | 8 周 |
湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | - | 2.5V,10V | 4.5V,10V |
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