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    VJ0603Y104KXACW1BCDMP3099L-7、DMP3030SN-7、NTR4502PT1G 的区别

    VJ0603Y104KXACW1BC

    制造商:Vishay

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    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

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    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳0603SOT-23SC59SOT-23
    容值100nF---
    精度±10%---
    额定电压50V---
    工作温度-55℃~+125℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    最小包装4000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    卷盘尺寸Φ180mm---
    是否无铅YesYesYesYes
    元件生命周期ActiveActive-Active
    品牌VishayDIODESDIODESON
    引脚数2Pin3Pin-3Pin
    系列VJ W1BC Basic---
    电介质X7R---
    高度0.80mm1.00mm1.40mm1.00mm
    温度系数Tf±15%---
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    栅极电荷(Qg)-5.2nC--
    漏源电压(Vdss)-30V30V30V
    FET功能----
    阈值电压-2.1V3V@1mA3V@250µA
    连续漏极电流-3.8A700mA1.13A
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏极电流-3.8A-1.13A
    充电电量-5.2nC-6nC
    原始制造商-Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedON Semiconductor Inc.
    制造商标准提前期-8 周8 周20 周
    原产国家-America-America
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-65mΩ@10V,3.8A250mΩ@10V,400mA200mΩ@10V,1.95A
    功率耗散-1.08W500mW400mW
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    零件状态-ActiveActiveActive
    输入电容-563pF160pF@10V200pF@15V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    额定功率-1.08W500mW400mW
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    反向传输电容Crss-41pF-50pF
    配置--单路单路
    存储温度----55℃~+150℃
    印字代码---TR2 M= =
    认证信息---RoHS
    击穿电压---30V
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