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    ADF09LLZMMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F、MMBT5551LT3G 的区别

    ADF09LLZ

    制造商:ASSMANN

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    安装类型-SMTSMTSMT
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vce饱和压降-200mV200mV200mV
    DC电流增益(hFE)-80@10mA,5V5080~250
    封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
    跃迁频率-100MHz100MHz-
    品牌-PANJITDIODESON
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    原产国家-China Taiwan-America
    额定功率-250mW300mW225mW
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    元件生命周期-Active--
    高度-1.10mm1.10mm1.11mm
    特征频率(fT)-100MHz300MHz-
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    零件状态-ActiveActiveActive
    功率耗散-250mW300mW225mW
    是否无铅-YesYesYes
    包装--Tape/reelTape/reel
    系列--Original-
    最小包装--3000pcs10000pcs
    集电极截止电流 (Icbo)--500nA(ICBO)100nA
    制造商标准提前期--12 周12 周
    极性---NPN
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    配置---单路
    集电极-基极电压(VCBO)---180V
    发射极与基极之间电压 VEBO---6V
    原始制造商---ON Semiconductor
    印字代码---G1
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