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LM258DT 与
LM258DR2G、LM258DR 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 压摆率 | 600mV/μs | - | 300mV/μs | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 增益带宽积（GBP） | 1.1MHz | 1MHz | 700KHz | |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOIC-8 | SOIC-8 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | |
| 输入偏置电流 | 20nA | 45nA | 20nA | |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel | |
| 输入失调电压(Vos) | 5mV | 5mV | 3mV | |
| 工作电流 | 700μA | 1.5mA | 1mA | |
| 输出电流 | 40mA | 40mA | 40mA | |
| 每个通道的输出电流 | 40mA | 40mA | 30mA | |
| 电源电压，单/双（±） | 3V~30V,±1.5V~15V | 3V~32V,±1.5V~±16V | 3V~32V,±1.5V~16V | |
| 高度 | 1.75mm | 1.75mm | 1.75mm | |
| 存储温度 | -65~+150℃ | - | -65~+150℃ | |
| 引脚数 | 8Pin | 8Pin | 8Pin | |
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs | |
| 品牌 | ST | ON | TI | |
| 原始制造商 | STMicroelectronics | ON Semiconductor Inc. | Texas Instruments Incorporated | |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | |
| 电源电压 | 30V | 32V | 3V~30V | |
| 通道数 | 2 | 2 | 2 | |
| 放大器类型 | 通用 | 通用 | 通用 | |
| 共模抑制比 - CMRR | 85dB | 85dB | 80dB | |
| 原产国家 | Switzerland | America | America | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | - | - | 7uV/℃ | |
| 脚间距 | - | - | 1.27mm | |
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