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    BSS138LT1GBSS138-TP、BSS138Q-7-F、BSS138-7-F 的区别

    BSS138LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.26022

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    BSS138-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.11001

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    BSS138Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.38157

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    BSS138-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.08286

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    包装Tape/reelTape/reel带卷(TR) Tape/reel
    配置单路单路--
    漏源电压(Vdss)50V50V50V50V
    连续漏极电流200mA220mA200mA200mA
    阈值电压1.5V@1mA1.5V@1mA1.5V@250µA1.5V
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    最小包装3000pcs3000pcs-3000pcs
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    是否无铅YesYesYesNo
    栅极源极击穿电压±20V±20V-±20V
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    击穿电压50V---
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Micro Commercial Components--
    原产国家AmericaAmerica--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@5V,200mA3.5Ω@10V,220mA3.5Ω@10V,220mA3.5Ω@10V,220mA
    认证信息RoHS---
    输入电容40pF60pF50pF50pF
    额定功率225mW350mW300mW300mW
    反向传输电容Crss3.5pF15pF--
    印字代码J1 M= =---
    功率耗散225mW350mW300mW300mW
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--
    长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度1.00mm1.10mm1.025mm1.05mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    品牌ONMCC-DIODES
    Vgs(Max)-±20V-±20V
    元件生命周期-Active--
    FET功能----
    栅极电荷(Qg)----
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    制造商标准提前期--12 周12 周
    系列----
    技术路线--MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    漏极电流---200mA
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)---10V
    充电电量----
    脚间距---1.92mm
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